技術(shù)創(chuàng)新
專利申請總數(shù)17項，已授權(quán)專利達(dá)11項
科學(xué)管理，規(guī)范操作，質(zhì)量第一，顧客滿意，持續(xù)改進，全員參與 遵章守法，預(yù)防污染，節(jié)能降耗，清潔生產(chǎn)，持續(xù)改進，奉獻社會，安全第一，預(yù)防為主；加強培訓(xùn)，完善配置；以人為本，健康至上。
團隊和專利
截止目前，專利申請總數(shù)17項，已授權(quán)專利達(dá)11項。
檢測手段
公司具備完善的檢測設(shè)備，按照國內(nèi)和國際標(biāo)準(zhǔn)對公司硅材料產(chǎn)品進行測量與評價。
對多晶硅而言，ICP-MS(電感耦合等離子質(zhì)譜儀),可進行硅基質(zhì)中金屬含量的檢測，低溫傅里葉紅外（LT-FTIR）可對產(chǎn)品中碳，氧，以及第三，五主族元素進行分析，常溫紅外對碳和氧進行分析，少子壽命儀（lifetime）可對硅產(chǎn)品的少子壽命進行檢測，以上檢測設(shè)備檢測限均滿足硅產(chǎn)品的分析。
對硅烷而言，氣相色譜，可對硅烷中氮氣，氫氣，氧氣，一氧化碳，氦氣，二氧化碳，甲烷，乙烷，丙烷，丁烷，以及乙硅烷等雜質(zhì)進行分析，濕度分析儀檢測硅烷中水含量，離子色譜檢測硅烷中的氯離子和氟離子，低溫傅里葉紅外（LT-FTIR）可對硅烷進行沉積成生長層后，對其碳，氧，以及第三，五主族元素進行分析。
對多硅晶
ICP-MS(電感耦合等離子質(zhì)譜儀),可進行硅基質(zhì)中金屬含量的檢測，低溫傅里葉紅外（LT-FTIR）可對產(chǎn)品中碳，氧，以及第三，五主族元素進行分析，常溫紅外對碳和氧進行分析，少子壽命儀（lifetime）可對硅產(chǎn)品的少子壽命進行檢測，以上檢測設(shè)備檢測限均滿足硅產(chǎn)品的分析
對多硅晶2
ICP-MS(電感耦合等離子質(zhì)譜儀),可進行硅基質(zhì)中金屬含量的檢測，低溫傅里葉紅外（LT-FTIR）可對產(chǎn)品中碳，氧，以及第三，五主族元素進行分析，常溫紅外對碳和氧進行分析，少子壽命儀（lifetime）可對硅產(chǎn)品的少子壽命進行檢測，以上檢測設(shè)備檢測限均滿足硅產(chǎn)品的分析
核心技術(shù)
粒狀多晶硅產(chǎn)品：采用二代硅烷流化床技術(shù)，產(chǎn)品純度可達(dá)電子級，整個生產(chǎn)線可以連續(xù)運行200天，有效降低生產(chǎn)成本：每公斤產(chǎn)品能耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)西門子法的生產(chǎn)成本，可降低光伏發(fā)電綜合成本10%以上。
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